。该项目是国家发改委和教育部等国家部委为落实教育强国推进工程，统筹推进“双一流”建设和深化产教融合改革的重要举措，是目前获批建设的国家集成电路产教融合创新平台，彰显了学校在集成电路领域人才教育培训和科学技术创新综合实力。

  该项目将统筹建设“人才教育培训-学科建设-科研创新”为一体的国家集成电路产教融合创新平台。在人才培养方面，面向国内主要集成电路产业基地，培养能满足产业需求、兼具工程实践和创造新兴事物的能力的复合型和技能型集成电路人才。在学科建设方面，通过交叉融合，推进“集成电路科学与工程”一级学科建设，促进关联学科的“双一流”建设。在科学技术创新方面，继续坚持在化合物半导体、数模混合集成电路系统芯片、EDA软件基础工具等方向上的前沿探索，同时瞄准产业共性关键技术，协同企业解决工程技术难题，通过平台资源的开放共享，探索产教融合的创新体制机制，形成高校与企业之间的协同创新动力，服务国家战略和重大需求。

  未来西电将依托微电子学院，形成以“国家级重点实验室-国家工程研究中心-国家产教融合创新平台”等基地为核心力量的“基础研究-应用基础研究”科研创新链，深化“科研育人、校企协同、产教融合”培养理念，扎根西部、服务全国。

  此次获批建设国家集成电路产教融合创新平台，充足表现我校为党育才、为国育人的办学初心，是90年办学历程来一代代西电人“爱国为民、勇挑重任”的精神延续，将为我国早日建设成为现代化教育强国、科技强国、制造强国贡献西电力量！

  2019年，西电科学技术创新基地建设取得重大突破，学校牵头申报的宽禁带半导体国家工程研究中心正式获得国家发改委立项批复，这是西电获批建设的第一个国家工程研究中心，体现了学校在微电子学科的长期积累的科研和产业化实力。该中心主要瞄准微电子行业产业共性关键研发技术、科技成果转化及产业化，旨在通过建立工程化研究、验证的设施和有利于技术创新、成果转化的机制，培育、提高自主创造新兴事物的能力，搭建产业与科研之间的“桥梁”，促进我国微电子产业技术进步和核心竞争能力的提高。

  宽禁带半导体国家工程研究中心由西安电子科技大学承担建设，并联合相关公司参与，是我国开展以 碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN） 为代表的第三代半导体技术探讨研究与开发、科技成果转化、高层次创新型和管理型复合人才教育培训、科学技术合作与交流的国家级研究基地和工程服务平台。

  中心坚持“应用导向、创新驱动”的发展方针，围绕国家重大战略部署，瞄准国际宽禁带半导体前沿技术，聚焦工程重大技术问题和行业实际发展需求，深化 “产-学-研-用” 合作，充分的利用西安电子科技大学现有的研究基础，为合作单位提供“技术攻关、技术转让、技术咨询、技术服务”，吸引上下游相关单位形成“宽禁带半导体产业高质量发展联盟”，促进我国第三代半导体产业高质量发展。

  宽带隙半导体技术国家重点学科实验室是在宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室的基础上，2007年国家批准建设的重点实验室。实验室重点开展宽带隙（宽禁带）半导体材料与器件的应用基础研究。实验室是西安电子科技大学国家集成电路人才教育培训基地、微电子学与固体电子学国家重点学科和“211”工程重点建设学科的重要支撑。

  实验室重视研究成果与应用的结合，多项研究成果已经用于国家和国民经济重点工程。高质量的GaN和SiC材料外延片可批量提供企业和研究所使用；微波功率器件慢慢的开始用于国家重点工程；GaN的LED成果慢慢的变成了陕西省半导体照明的核心技术，产生着辐射和带动作用；自主的MOCVD设备和核心技术开始实现产业化；微纳米器件可靠性技术对推动我们国家高可靠集成电路发展发挥了及其重要的作用。

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